台积电技术论坛揭露九大趋势：3nm、晶体管新材料、EUV ...(1/25)

重点三：3nm 上市量产第一年就会达到 5nm 的两倍以上。台积电的 3nm 制程架构持续使用 FinFET 晶体管。与 5nm 相较，3nm 可提升效能 15%、功耗降低 30%、逻辑密度提高 70%，目前规划 3nm 制程2022 年下半在台南 Fab 18 厂进入量产。再者，台积电也预计 3nm 量产第一年的客户产品数量会是 5nm 的两倍以上。 [查看原文]

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