台积电技术论坛揭露九大趋势：3nm、晶体管新材料、EUV ...(1/25)

另一个重要的 2D material 研发成果是长出晶圆级的高质量 hBN(hexagonal Boron Nitride)，利用低温技术成功转移原子级厚度的超薄单晶材料移，打造未来晶体管，这成果会为新型 2D 半导体奠定重要基础。重点九：复杂的 5G RF 技术带来巨大挑战，台积电提出 N6RF 制程对应。RF 技术在 5G 时代变得很重要，因为复杂的 5G 网络环境为 RF 设计带来巨大挑战，首先是 formfactor。为了满足 5G 要 ... [查看原文]

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