先进封装最强科普(1/14)

3D 封装是将一个有源芯片封装在另一个有源芯片之上。这最初由英特尔以 55 微米间距的逻辑硅一同发货，但批量用例将在 36 微米及以下。台积电和 AMD 将推出 17 微米间距的 3D堆叠 V-cache。该技术从凸块过渡到硅通孔 (TSV)，并且具有更大的扩展空间。其他应用，例如索尼制造的 CMOS 图像传感器，其间距曾经抵达 6.3 微米。为了坚持比较，36 微米间距的凸点密度高出 31 倍，17 微米间距实施 ... [查看原文]

标签： 积家

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