超越英特尔，追平台积电，三星的芯片制造技术如何得来 ...(1/16)

三星电子表示：GAA工艺的第一代3nm比5nm性能提升23%，功耗降低45%，面积减少16%。第二代性能提升30%，功耗降低50%，面积减少35%。最后，三星电子也回敬了台积电：在3nm节点，GAA工艺能够抑止Fin－FET工艺的限制，“它将成为游戏规则的改动者”。其实两家都没有错，台积电是芯片制造的指导者，市场占有率超越了70%，又有大客户苹果保驾护航。它选择稳健的Fin－FET架构，只需不翻车，它的龙 ... [查看原文]

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