台积电美国工厂或将迈进1 纳米(1/2)

正在建造中的台积电美国亚利桑那州厂Fab 21节点减少行业现状在半导体制造中，3nm 工艺是继 5nm 技术节点之后的下一个 die shrink，几大行业参与者都在力争上游。较小的节点允许在给定区域放置更多晶体管，从而进步电源效率。第一代 3 纳米芯片将能够将功耗降低近一半，同时大幅进步性能。在过去的几十年里，芯片制造商不时试图将更多的晶体管挤压到更小的名义上。但是往常曾经抵达了极限 ... [查看原文]

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