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这款新芯片采用的则是一个兼容DDR4的接口。这家公司表示,供给商能够应用耐久的记忆技术设计企业级SSD或对现有的贮存产品展开进一步的改善。据了解,ST-MARAM的密度要比公司旗下现有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出,从Global Foundries的40nm工艺到foundry 28nm工艺的转变是开发这种千兆级芯片的关键,另外它还展示了公司垂直磁性隧道结(pMTJ)的可扩展性。首批配备Everspin全 ... [查看原文]
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