聊一聊中国电子半导体产业百年展开史(1/9)

1957年，中科院应用物理所林兰英研制胜利我国第一根硅单晶、第一根无错位硅单晶、第一台高压单晶炉、第一片单异质结SOI外延资料、第一根GAP半晶、第一片双异质结SOI外延资料，为我国微电子和光电子学的展开奠定了基础。 1966-1976年，文革十年，国内半导体展开受阻。北京878厂、上海无线电19厂、永川半导体所（24所前身）相继成立，并完成PMOS、NMOS、CMOS研制。 1982年，国务院为了增强 ... [查看原文]

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