三星携手美企改善3纳米良率，希望赶超台积电(1/1)

报道中称，三星电子先进制程良率十分低，自 5 纳米制程开端不时存在良率问题，在 4 纳米和 3 纳米工艺上状况变得愈加糟糕。据传三星 3 纳米处置计划制程自量产以来，良率不超越 20%，量产进度堕入瓶颈。三星目前在 4 纳米和 5 纳米工艺节点上呈现了与产量有关的问题，该公司不希望这个问题再次出往常 3 纳米工艺上。因而希望经过和 Silicon Frontline Technology 公司协作，辅佐三星晶圆 ... [查看原文]

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