电子器件及其应用是展开最快的范畴之一，短短20年的时间，其特征尺寸完成了从微米级到纳米级的飞跃。随着晶体管尺寸的减小和密度的增加，计算才干取得了提升，但是从器件、芯片和系统的角度来看，其功耗也不可避免的增加。高性能计算模块功率曾经抵达了200-250W，四插槽计算系统中处置器的热负荷接近1 kW。高功率耗散不可避免地对电子器件系统和数据中心等产生影响，功率密度及其在芯片级别的空间散布也值得关注，并可能对芯片牢靠性和热管理产生重要的影响。随着纳米尺度电子器件和诸如三维芯片结构、柔性电子的展开，往常比以往任何时分都更迫切地需求处置热管理问题。
图1. 块体资料热导率的温度效应。（同位素纯化的金刚石、硼化镓、热解石墨、铜、晶体硅、非晶二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯和聚 晶体管设计改进和芯片层数增加，招致芯片中界面和边疆增加（a higher density of interfaces and boundaries within the die structure, each of which can act as a thermal impedance to heat flow），进而引入芯片封装中的热管理问题。
图2. MOSFET结构设计 关于电子产品而言，整体的牢靠性取决于芯片上最热的区域而不是芯片的平均温度。因而，热点通常决议了所需的封装和热管理处置计划，诸如资料选择、散热器和冷板设计，以及系统和设备级别所需的泵送功率。
图3. 芯片封装 化合积电是一家专注于第三代（宽禁带）半导体衬底资料和器件研发和消费的高科技企业，努力于成为全球抢先的宽禁带半导体资料和器件公司。我们不时秉持客户至上的理念，为客户提供至臻至善的产品和效劳。目前，公司已完成金刚石和氮化铝相关产品的范围化消费，现有晶圆级金刚石Ra<1nm，金刚石热沉片热导率1000-2000W/m.k，更有GaN on diamond 、Diamond on GaN、金刚石基氮化铝等产品，并且已普遍应用于5G基站、激光器、新能源汽车、新能源光伏等范畴。在这里，我们将为您提供最全面的器件热管理计划，更多详情请登录www.csmh-semi.com。 |
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