3nm追逐台积电？三星将首家采用高端EUV薄膜

集微网音讯，据台媒DIGITIMES报道，三星电子将在其3nm工艺中采用透光率超越90%的最新EUV薄膜（pellicle）以进步良率，这些薄膜未来自韩国公司S&S Tech。

光掩膜板资料（Blankmask）公司S&S Tech在2021年消费胜利开发出了透光率达90%的半导体EUV薄膜，一举成为除了ASML之外另一家胜利开发出了透光率超越90%的EUV薄膜的公司。ChosunBiz报道，据业内人士透露，S&S Tech最早将于2023年上半年进入透光率超越90%的EUV薄膜的批量消费。S&S Tech的目的是应三星请求——将比率进步到94%。

在三星投资的半导体资料和设备供给商中，S&S Tech取得了最多的投资资金。2020年7月，三星经过注资658亿韩元（5200万美圆）取得了S&S Tech的8%的股份。

据悉，薄膜在EUV工艺时期起着至关重要的作用，能够避免EUV受污染而招致良率性能不佳。

三星将采用透光率超越90%的薄膜，以尽量减少光源的损失并稳定其3nm芯片的消费良率。

据报道，目前还没有一家晶圆代工厂采用透光率超越90%的薄膜。目前，主要的EUV薄膜供给商包含荷兰的ASML、日本的三井化学、同属韩国公司的S&S Tech和FST。三星往常投资S&S Tech和FST，以开发自用EUV薄膜。

依据接受Business Next采访的特地从事半导体的剖析师和专家估量，目前台积电的3nm良率可能低至60%至70%，也可能高达75%至80%。与此同时，金融剖析师Dan Nystedt也在推特上表示，台积电目前的3nm良率与5nm良率在其消费初期相似，据媒体报道，其良率可能高达80%。

（校正/张杰）